Control automat al temperaturii și umidității
Temperatura și umiditatea camerei curate sunt determinate în principal în funcție de cerințele procesului, dar cu condiția ca cerințele procesului să fie îndeplinite, trebuie luat în considerare confortul uman.Odată cu creșterea cerințelor de curățenie a aerului, există tendința că procesul are cerințe din ce în ce mai stricte privind temperatură și umiditate.
Pe măsură ce precizia de prelucrare devine din ce în ce mai fină, cerințele pentru intervalul de fluctuație de temperatură sunt din ce în ce mai mici.De exemplu, în procesul de expunere la litografie al producției de circuite integrate la scară largă, diferența dintre coeficientul de dilatare termică al sticlei și placheta de siliciu ca materialul diafragmei trebuie să fie din ce în ce mai mică.O placă de siliciu cu un diametru de 100 μm va provoca o expansiune liniară de 0,24 μm atunci când temperatura crește cu 1 grad.Prin urmare, trebuie să aibă o temperatură constantă de ±0,1 grade.În același timp, valoarea umidității este, în general, necesară să fie scăzută, deoarece după ce o persoană transpiră, produsul va fi poluat, în special pentru atelierele de semiconductori cărora le este frică de sodiu, acest tip de atelier curat nu trebuie să depășească 25 de grade.
Umiditatea excesivă provoacă mai multe probleme.Când umiditatea relativă depășește 55%, se va produce condens pe peretele conductei de apă de răcire.Dacă apare într-un dispozitiv sau circuit de precizie, va provoca diverse accidente.Este ușor să ruginească atunci când umiditatea relativă este de 50%.În plus, atunci când umiditatea este prea mare, praful de pe suprafața plachetei de siliciu va fi adsorbit chimic de moleculele de apă din aer la suprafață, care este dificil de îndepărtat.Cu cât umiditatea relativă este mai mare, cu atât este mai dificil să eliminați aderența, dar când umiditatea relativă este mai mică de 30%, particulele sunt, de asemenea, ușor adsorbite pe suprafață datorită acțiunii forței electrostatice și a unui număr mare de semiconductori. dispozitivele sunt predispuse la defecțiuni.Cel mai bun interval de temperatură pentru producția de plachete de siliciu este de 35 ~ 45%.
